ჩინეთის ფაზის კონტროლის ტირისტორის ქარხანა და მომწოდებლები |Runau Electronics

ჩინური

English

ფაზის კონტროლის ტირისტორი

Მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

ფაზის კონტროლის ტირისტორი (შენადნობის ტიპი)

აღწერა:

ტირისტორი, რომელიც ასევე ცნობილია როგორც სილიკონის კონტროლის რექტიფიკატორი (SCR), არის მაღალი სიმძლავრის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც შედგება სამი PN სტრუქტურისგან.მუშაობის თვალსაზრისით, ტირისტორს არა მხოლოდ აქვს ცალმხრივი გამტარობა, არამედ აქვს უფრო ღირებული კონტროლირებადი, ვიდრე სილიკონის გამსწორებელი ელემენტი, რომელიც მხოლოდ ორ მდგომარეობაშია გამტარობისა და გამორთვის მდგომარეობაში, დიდი სიმძლავრის გასაკონტროლებლად მცირე სიმძლავრით, სიმძლავრის გაძლიერება ასამდე ან ათასობით ჯერ.რეაქცია ძალიან სწრაფია, ირთვება და გამორთულია მიკრო წამებში.უკონტაქტო ოპერაცია, ნაპერწკლების გარეშე, ხმაურის გარეშე, ხოლო მაღალი ეფექტურობა და დაბალი ღირებულება.ამიტომ, განსაკუთრებით მაღალი ენერგომომარაგების სისტემაში, ტირისტორი ფართოდ გამოიყენებოდა გამსწორებელ წრეში, სტატიკური შემოვლითი გადამრთველი, უკონტაქტო გამომავალი გადამრთველი და სხვა სქემები.

RUNAU Electronics-ის ტირისტორის წარმოების სტანდარტი და დამუშავების ტექნოლოგია აშშ-დან შემოვიდა 1980-იანი წლებიდან, როგორც ჩინეთში ტირისტორის წარმოების პიონერი, RUNAU-ს ტექნიკურმა გუნდმა შეიძინა უახლესი ცოდნა და წარმოების დიდი გამოცდილება 30 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში.ტრადიციული წარმოების პროცესის საფუძველზე, RUNAU Electronics-ის ნიჭიერმა ტექნიკოსებმა შეიმუშავეს ტირისტორის წარმოების უახლესი ტექნოლოგია ევროპული პროდუქციის უპირატესობებით, ხარისხი და შესრულება მნიშვნელოვნად გაუმჯობესებულია, უფრო დიდი გამარჯვება მიღწეულია ენერგეტიკული ელექტრონიკის გამოყენებაში. ველები და მეტი ღირებულება შეიქმნა პარტნიორებისთვის.

შესავალი:

1. ჩიპი

RUNAU Electronics-ის მიერ წარმოებული ტირისტორის ჩიპი არის აგლომერირებული შენადნობის ტექნოლოგია.სილიციუმის და მოლიბდენის ვაფლი იყო აგლომერირებული შენადნობისთვის სუფთა ალუმინის მიერ (99,999%) მაღალი ვაკუუმის და მაღალი ტემპერატურის გარემოში.აგლომერაციის მახასიათებლების ადმინისტრირება არის მთავარი ფაქტორი, რომელიც გავლენას ახდენს ტირისტორის ხარისხზე.RUNAU Electronics-ის ნოუ-ჰაუ, გარდა შენადნობის შეერთების სიღრმის, ზედაპირის სიბრტყის, შენადნობის ღრუს, აგრეთვე სრული დიფუზიის უნარის, ცენტრალური კარიბჭის, რგოლის წრის ნიმუშის მართვისა, გამოყენებული იქნა ტირისტორის საიმედო და მაღალეფექტური გამტარობის მუშაობის უზრუნველსაყოფად. უზრუნველყოს მაღალი ხარისხის შესრულება.

2. ინკაფსულაცია

მოლიბდენის ვაფლისა და გარე შეფუთვის სიბრტყისა და პარალელურობის მკაცრი კონტროლით, ჩიპი და მოლიბდენის ვაფლი მჭიდროდ და სრულად იქნება ინტეგრირებული გარე პაკეტთან.ეს გააუმჯობესებს დენის დენის წინააღმდეგობას და მაღალი მოკლე ჩართვის დენის წინააღმდეგობას.და ელექტრონის აორთქლების ტექნოლოგიის გაზომვა გამოიყენეს სილიკონის ვაფლის ზედაპირზე სქელი ალუმინის ფირის შესაქმნელად, ხოლო მოლიბდენის ზედაპირზე მოოქროვილი რუთენიუმის ფენა მნიშვნელოვნად გაზრდის თერმული დაღლილობის წინააღმდეგობას, მნიშვნელოვნად გაიზრდება ტირისტორის მუშაობის ხანგრძლივობა.

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

ფაზის კონტროლირებადი ტირისტორი შენადნობის ტიპის ჩიპით, დამზადებულია RUNAU Electronics-ის მიერ, I დიაპაზონი_TAV300A-დან 6000A-მდე და ვ_DRM/V_RRM800 ვ-დან 4400 ვ-მდე.
I_GT, ვ_GTდა მე_Hარის ტესტის მნიშვნელობები 25℃-ზე, თუ სხვაგვარად არ არის მითითებული, ყველა სხვა პარამეტრი არის ტესტის მნიშვნელობები T ქვეშ_jm;
I²t=I²F SM×tw/2, tw= სინუსოიდური ნახევარტალღის დენის ბაზის სიგანე.50 ჰც-ზე, ი²t=0.005I²FSM(A²S);
60 ჰც-ზე: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,ტ_j=T_j;მე²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,ტ_j=T_jm

Პარამეტრი:

TYPE	I_T(AV) A	T_C ℃	V_DRM/V_RRM V	I_TSM@T_VJIM&10 ms A	I²t A²s	V_TM @I_T& T_J=25℃ ვ/ა		T_jm ℃	R_jc ℃/W	R_cs ℃/W	F KN	m Kg	კოდი
ძაბვა 1800 ვ-მდე
KP320-**	320	70	1200-1800 წწ	3840 წ	7.4x10⁴	1.60	600	125	0.08	0.02	4	0.060	T1A
KP400-**	400	70	1200-1800 წწ	4800	1.1x10⁵	1.60	1200	125	0.045	0.01	13	0.200	T3C
KP600-**	600	65	1200-1800 წწ	7200	2.6x10⁵	1.65	1500	125	0.04	0.008	15	0.260	T5C
KP800-**	800	70	1200-1800 წწ	9600	4.6x10⁵	1.60	1500	125	0.039	0.008	15	0.260	T5C
KP1000-**	1000	70	1200-1800 წწ	12000	7.2x10⁵	1.45	1500	125	0.03	0.006	20	0.330	T7C
KP1200-**	1200	70	1200-1800 წწ	14400 წ	10.0x10⁵	1.60	3000	125	0.022	0.005	25	0.460	T8C
KP1500-**	1500	70	1200-1800 წწ	18000	1.6x10⁶	1.55	3000	125	0.018	0.005	27	0.593	T9C
KP1800-**	1800 წ	70	1200-1800 წწ	21600	2.3x10⁶	1.50	3000	125	0.015	0.0045	30	0.720	T10C
KP2500-**	2500	70	1200-1800 წწ	30000	4.5x10⁶	1.45	3000	125	0.0125	0.004	33	0.850	T11C
KP3000-**	3000	70	1200-1800 წწ	36000	6.5x10⁶	1.40	3000	125	0.01	0.003	35	1.100	T13C
KP4000-**	4000	65	1200-1800 წწ	48000	11.5x10⁶	1.35	3000	125	0.008	0.002	60	1.400	T15C
KP6000-**	6000	65	1200-1800 წწ	72000	26.0x10⁶	1.30	5000	125	0.006	0.0015	80	1.900	T16C
ძაბვა 2400 ვ-მდე
KP500-**	500	70	2000-2400 წწ	7000	2.5x10⁵	1.80	1500	125	0.039	0.008	15	0.260	T5C
KP800-**	800	70	2000-2400 წწ	11200	6.3x10⁵	1.80	2400	125	0.03	0.006	20	0.330	T7C
KP1000-**	1000	70	2000-2400 წწ	14000	7.2x10⁵	1.80	3000	125	0.022	0.005	25	0.460	T8C
KP1200-**	1200	70	2000-2400 წწ	14400 წ	10.0x10⁵	1.80	3000	125	0.02	0.005	27	0.500	T8C
KP1500-**	1500	70	2000-2400 წწ	18000	1.6x10⁶	1.70	3000	125	0.015	0.0045	30	0.720	T10C
KP2100-**	2100 წ	70	2000-2400 წწ	24000	2.9x10⁶	1.60	3000	125	0.0125	0.004	33	0.850	T11C
KP3000-**	3000	65	2000-2400 წწ	36000	6.5x10⁶	1.45	3000	125	0.01	0.003	35	1.100	T13C
KP5700-**	5700	65	2000-2400 წწ	68400	23.0x10⁶	1.30	5000	125	0.006	0.0015	80	1.900	T16C
ძაბვა 3200 ვ-მდე
KP500-**	500	70	2600~3200	7000	2.5x10⁵	2.15	1500	125	0.039	0.008	15	0.260	T5C
KP1000-**	1000	70	2600~3200	12000	7.2x10⁵	2.10	2500	125	0.022	0.005	25	0.460	T8C
KP1200-**	1200	70	2600~3200	14400 წ	1.0x10⁶	2.00	3000	125	0.018	0.005	27	0.593	T9C
KP1700-**	1700 წ	70	2600~3200	20400 წ	2.1x10⁶	1.95	3000	125	0.015	0.0045	30	0.720	T10C
KP2000-**	2000 წ	70	2600~3200	24000	2.9x10⁶	1.85	3000	125	0.0125	0.004	33	0.850	T11C
KP2500-**	2500	70	2600~3200	25200	3.2x10⁶	1.75	3000	125	0.011	0.003	35	1.500	T13D
KP3700-**	3700	65	2600~3200	44400	9.9x10⁶	1.65	3000	125	0.008	0.002	60	1.990	T15D
KP4500-**	4500	65	2600~3200	54000	1.5x10⁷	1.65	5000	125	0.006	0.0015	80	1.900	T16C
ძაბვა 4200 ვ-მდე
KP480-**	480	70	3600~4200	5760	1.7x10⁵	2.40	1200	125	0.039	0.008	15	0.260	T5C
KP1000-**	1000	70	3600~4200	12000	7.2x10⁵	2.45	2500	125	0.022	0.005	25	0.460	T8C
KP1200-**	1200	70	3600~4200	14400 წ	1.0x10⁶	2.40	3000	125	0.016	0.005	28	0.650	T9C
KP1500-**	1500	70	3600~4200	18000	1.6x10⁶	2.50	3000	125	0.015	0.0045	30	0.720	T10C
KP1900-**	1900 წ	70	3600~4200	22800	2.6x10⁶	2.30	3000	125	0.0125	0.004	33	0.850	T11C
KP2100-**	2100 წ	65	3600~4200	24000	2.9x10⁶	2.20	3000	125	0.011	0.003	35	1.500	T13D
KP3000-**	3000	70	3600~4200	36000	6.5x10⁶	1.70	3000	125	0.008	0.002	60	1.990	T15D
KP3800-**	3800	70	3600~4200	45600	1.0x10⁷	1.90	5000	125	0.006	0.0015	80	1.900	T16C

წინა: მაღალი სტანდარტის ფაზის კონტროლის ტირისტორი

შემდეგი: Rectifier Diode Chip

დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ