ტირისტორის ჩიპი
ტირისტორის ჩიპი
RUNAU Electronics-ის მიერ წარმოებული ტირისტორის ჩიპი თავდაპირველად დაინერგა GE-ს დამუშავების სტანდარტითა და ტექნოლოგიით, რომელიც შეესაბამება აშშ-ს აპლიკაციის სტანდარტს და კვალიფიცირებულია მსოფლიო კლიენტების მიერ.იგი გამოირჩევა ძლიერი თერმული დაღლილობის წინააღმდეგობის მახასიათებლებით, ხანგრძლივი მომსახურების ვადით, მაღალი ძაბვით, დიდი დენით, ძლიერი გარემოსადმი ადაპტირებით და ა.შ. 2010 წელს RUNAU Electronics-მა შეიმუშავა ტირისტორის ჩიპის ახალი ნიმუში, რომელიც აერთიანებს GE და ევროპული ტექნოლოგიების ტრადიციულ უპირატესობას, შესრულებას და ეფექტურობა მნიშვნელოვნად ოპტიმიზირებულია.
Პარამეტრი:
| დიამეტრი mm | სისქე mm | Ვოლტაჟი V | კარიბჭე დია. mm | კათოდური შიდა დია. mm | კათოდის გამოსვლები. mm | თჯმ ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 წწ | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 წწ | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 წწ | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 წწ | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 წწ | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
Ტექნიკური სპეციფიკაცია:
RUNAU Electronics უზრუნველყოფს ფაზის კონტროლირებადი ტირისტორისა და სწრაფი გადართვის ტირისტორის დენის ნახევარგამტარულ ჩიპებს.
1. დაბალი მდგომარეობის ძაბვის ვარდნა
2. ალუმინის ფენის სისქე 10 მიკრონზე მეტია
3. ორფენიანი დამცავი მესა
Რჩევები:
1. უკეთესი მუშაობის შესანარჩუნებლად, ჩიპი უნდა ინახებოდეს აზოტში ან ვაკუუმში, რათა თავიდან იქნას აცილებული მოლიბდენის ნაჭრების დაჟანგვით და ტენიანობით გამოწვეული ძაბვის ცვლილება.
2. ყოველთვის შეინახეთ ჩიპის ზედაპირი სუფთა, გთხოვთ ატაროთ ხელთათმანები და არ შეეხოთ ჩიპს შიშველი ხელებით
3. ფრთხილად იმოქმედეთ გამოყენების პროცესში.არ დააზიანოთ ჩიპის ფისოვანი კიდეების ზედაპირი და ალუმინის ფენა კარიბჭის და კათოდის ბოძების მიდამოში.
4. ტესტის ან კაფსულაციის დროს, გთხოვთ, გაითვალისწინოთ, რომ მოწყობილობის პარალელურობა, სიბრტყე და დამჭერი ძალა უნდა ემთხვეოდეს მითითებულ სტანდარტებს.ცუდი პარალელიზმი გამოიწვევს არათანაბარ წნევას და ჩიპის დაზიანებას ძალით.ჭარბი დამჭერის ძალის დაყენების შემთხვევაში, ჩიპი ადვილად დაზიანდება.თუ დამჭერის ძალა ძალიან მცირეა, ცუდი კონტაქტი და სითბოს გაფრქვევა გავლენას მოახდენს გამოყენებაზე.
5. ჩიპის კათოდურ ზედაპირთან შეხებაში მყოფი წნევის ბლოკი უნდა იყოს ანეილი
რეკომენდაცია Clamp Force
| ჩიპების ზომა | სამაგრის ძალის რეკომენდაცია |
| (KN)±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 ან Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 ან Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |