ჩინეთიჩინური
English
მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორის გამორჩეული სურათი
  • მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი
  • მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი
  • მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი
  • მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი
  • მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი

მაღალი სიმძლავრის თავისუფალი მცურავი ფაზის კონტროლის ტირისტორი

Მოკლე აღწერა:


ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

ფაზის კონტროლის ტირისტორი (თავისუფალი მცურავი ტიპი)

აღწერა:

გადამყვანი აღჭურვილობის მზარდი სიმძლავრისა და სიმძლავრის განვითარებით, განსაკუთრებით HVDC გადაცემათა კოლოფის, გამომავალი სიმძლავრის სიმძლავრე მოთხოვნილია გაიზარდოს შესაბამისად, რაც შეამცირებს ტირისტორის სამონტაჟო რაოდენობას სერიულ და პარალელურ შეერთების წრეში.შემცირდება მოწყობილობის ზომა და წონა, ნაკლები ინვესტიცია, დენი და თანაბარი ძაბვაც კი ადვილად იქნება რეალიზებული, საიმედო მუშაობა და კომერციული ღირებულება მნიშვნელოვნად გაიზრდება.

თავისუფალი მცურავი სილიკონის ტექნოლოგია, რომელიც გამოიყენება მაღალი სიმძლავრის მაღალი დენის ტირისტორის დასამზადებლად, დააკმაყოფილებს აპლიკაციის მაღალი სტანდარტის მოთხოვნას.და 2019 წლის ივლისში, RUNAU Electronics-მა წარმატებით შეიმუშავა 5200 ვ ტირისტორი 5” ჩიპით და მიაწოდა მომხმარებელს, რომელიც გამოიყენებოდა ჩინეთის HVDC პროექტში.

შესავალი:

1. ჩიპი

RUNAU Electronics-ის მიერ წარმოებული მაღალი სტანდარტის ტირისტორული ჩიპი გამოიყენება უფასო მცურავი ტექნოლოგია.ეს არის კარგად აღიარებული, როგორც უახლესი და მომწიფებული ტექნოლოგია მაღალი სიმძლავრის მაღალი ძაბვის ტირისტორის წარმოებისთვის.მას ფართოდ იყენებენ მსოფლიო დონის მწარმოებლების მიერ.

დიფუზიის პროცესი ოპტიმიზირებული იყო სიმკვრივით და სიგანეში, რათა გაზარდოს ძაბვის წინააღმდეგობა, შემცირდეს ძაბვის ვარდნა და გააუმჯობესოს ტრიგერის და დინამიური მახასიათებლები.ახალი ფოტოლითოგრაფიის ნიმუში შეიქმნა di/dt და dv/dt ფუნქციების გასაუმჯობესებლად.ჩიპის საკონტაქტო სტრუქტურა ხელახლა აშენდა სილიკონის ვაფლისა და კათოდური ზედაპირის კიდეების დასაცავად, საპირისპირო ძაბვის შესრულება მნიშვნელოვნად გაუმჯობესდება.

2. ინკაფსულაცია

თავისუფალი მცურავი სილიკონის ტექნოლოგიის უპირატესობა არის დეფორმაცია სილიციუმსა და მოლიბდენის ვაფლს შორის, რომელიც მნიშვნელოვნად იზღუდება და მოლიბდენის ვაფლის მოხმარება მცირდება.მიუხედავად იმისა, რომ სილიკონის ვაფლის სიბრტყე და შეფუთვის სპილენძის ბლოკი ძალიან საჭიროა, ასევე პარალელურობისა და უხეშობის მოთხოვნები უფრო მაღალია, ვიდრე შენადნობის ჩიპების ტექნოლოგია.უწყვეტი გაუმჯობესებითა და ინოვაციებით, RUNAU Electronic-მა გადალახა ყველა ტექნიკური სირთულე და ბარიერი.უფასო მცურავი ტექნოლოგია, მაღალი სიმძლავრის მაღალი ძაბვის ტირისტორი საიმედო შესრულებით და კომერციული ეფექტური გადაწყვეტით შემუშავდა და მიეწოდა კლიენტებს.მათი უმეტესობა დამონტაჟებულია მაღალი სიმძლავრის კონტროლირებად გამომსწორებელში, მაღალი ძაბვის რბილ სტარტერში, HVDC დენის გადაცემაში, ლოკომოტივის წევაში, დინამიური რეაქტიული სიმძლავრის კომპენსაციისა და პულსის სიმძლავრის გამოყენების სისტემაში.

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

  1. ფაზის კონტროლირებადი ტირისტორი შენადნობის ტიპის ჩიპით, დამზადებულია RUNAU Electronics-ის მიერ, I დიაპაზონიTAV350A-დან 5580A-მდე და VDRM/VRRM3400 ვ-დან 8500 ვ-მდე.
  2. IGT, ვGTდა მეHარის ტესტის მნიშვნელობები 25℃-ზე, თუ სხვაგვარად არ არის მითითებული, ყველა სხვა პარამეტრი არის ტესტის მნიშვნელობები T ქვეშjm;
  3. I2t=I2F SM×tw/2, tw= სინუსოიდური ნახევარტალღის დენის ბაზის სიგანე.50 ჰც-ზე, ი2t=0.005I2FSM(A2S);
  4. 60 ჰც-ზე: IFSM(8.3ms)=IFSM(10ms)×1.066,ტj=Tj;მე2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,ტj=Tjm

Პარამეტრი:

TYPE IT(AV)
A		 TC
℃		 VDRM/VRRM
V		 ITSM
@TVJIM&10msA		 I2t
A2s		 VTM
@IT& TJ=25℃
V/A		 Tjm
℃		 Rjc
℃/W		 Rcs
℃/W		 F
KN		 m
Kg		 კოდი
ძაბვა 4200 ვ-მდე
KP3170-** 3170 70 3400~4200 52000 1.3x107 1.40 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP4310-** 4310 70 3400~4200 60000 1.8x107 1.30 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP5580-** 5580 70 3400~4200 90000 4.0x107 1.40 5000 125 0.004 0.001 120 3.60 T18D
ძაბვა 5200 ვ-მდე
KP970-** 970 70 4400~5200 13500 9.1x105 2.70 2000 წ 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP2080-** 2080 წ 70 4400~5200 29200 4.2x106 1.60 2000 წ 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP2780-** 2780 70 4400~5200 42000 8.8x106 1.70 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP3910-** 3910 65 4400~5200 55000 1.5x107 1.50 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4750-** 4750 70 4400~5200 8700 3.7x107 1.50 5000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
ძაბვა 6600 ვ-მდე
KP350-** 350 70 5800~6600 4500 1.0x105 2.20 500 125 0.039 0.008 10 0.33 T5C
KP730-** 730 70 5800~6600 11800 წ 6.9x105 2.20 1000 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP1420-** 1420 წ 70 5800~6600 22400 2.5x106 2.10 1500 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP1800-** 1800 წ 70 5400~6600 32000 5.1x106 1.90 1600 წ 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP2810-** 2810 წ 70 5800~6600 45000 1.0x107 2.00 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4250-** 4250 70 5800~6600 71400 2.5x107 1.70 3000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
ძაბვა 7200 ვ-მდე
KP300-** 300 70 6800~7200 3400 5.8x104 2.40 500 115 0.039 0.008 10 0.40 T5D
KP640-** 640 70 6800~7200 9000 4.0x105 2.30 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1150-** 1150 წ 70 6800~7200 18300 წ 1.6x106 2.40 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1510-** 1510 წ 70 6800~7200 26000 3.3x106 2.00 1600 წ 115 0.008 0.002 70 1.85 T15D
KP2640-** 2640 70 6800~7200 40000 8.0x106 1.50 1500 115 0.006 0.002 90 2.90 T17D
ძაბვა 8500 ვ-მდე
KP270-** 270 70 7400~8500 2900 4.2x104 2.80 500 115 0.045 0.008 10 0.40 T5D
KP580-** 580 70 7400~8500 6000 1.8x105 2.60 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1080-** 1080 წ 70 7400~8500 11300 6.3x105 2.80 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1480-** 1480 წ 70 7400~8500 17000 1.4x106 2.10 1600 წ 115 0.009 0.002 70 1.85 T15D
  • წინა:
  • შემდეგი:
    • დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ
    დააჭირეთ Enter საძიებლად ან ESC დახურვისთვის