აღწერა:

კვადრატული ტირისტორის ჩიპი არის ერთგვარი ტირისტორის ჩიპი და ოთხფენიანი ნახევარგამტარული სტრუქტურა სამი PN შეერთებით, მათ შორის კარიბჭე, კათოდი, სილიკონის ვაფლი და ანოდი.კათოდი, სილიკონის ვაფლი და ანოდი ბრტყელი და კვადრატული ფორმისაა.სილიკონის ვაფლის ერთი მხარე დამაგრებულია კათოდით, მეორე მხარეს ანოდით, კათოდზე იხსნება ტყვიის ნახვრეტი და ხვრელში მოწყობილია ჭიშკარი.კარიბჭე, კათოდური და ანოდის ზედაპირი მოპირკეთებულია შედუღების მასალით.ძირითადი წარმოების პროცესები მოიცავს: სილიკონის ვაფლის გაწმენდას, დიფუზიას, დაჟანგვას, ფოტოლითოგრაფიას, კოროზიისგან, პასივაციისგან დაცვას, მეტალიზაციას, ტესტირებას და კუბიკებს.

წარმოების პორტფოლიო:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

კარიბჭის ტიპი:

• სამკუთხედის კუთხის კარიბჭე: ITAV=25A~60A

• მრგვალი ცენტრალური კარიბჭე: ITAV=110A~200A

სტრუქტურა:

• ორმაგი მესა

• მეტალიზებული ანოდი არის მრავალშრიანი ლითონის TiNiAg ან Al+TiNiAg

• მეტალიზებული კათოდური ფენა არის Al ან TiNiAg

Მახასიათებლები:

• განაწილებული ალუმინის დიფუზია, დაბალი მდგომარეობის ძაბვის ვარდნა, მაღალი ბლოკირების ძაბვა

• ორმაგი უარყოფითი კუთხის ფორმა

• პასივაციისგან დამცავი მასალა: SIPOS+GLASS+LTO

• დაბალი IL და ფართო გამოყენება

• სქელი ალუმინის ფენა და მარტივი შეკვრა

• ტრიგერის შესანიშნავი თანმიმდევრულობა